Русские алмазные диоды Шоттки

Их создали русские парни. Есть фамиилии с русскими окончаниями. Русская наука развивается.

26.02.2025
В Институте прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН сделан существенный вклад в разработку электронных приборов на основе искусственного, синтезируемого из газовой фазы (CVD), алмаза. По совокупности своих физических свойств такой алмаз значительно превосходит другие широкозонные полупроводниковые материалы и является перспективным для создания мощных и высокочастотных полупроводниковых приборов следующего поколения.

Сотрудниками института были разработаны алмазные диоды Шоттки, которые могут использоваться в мощных высоковольтных преобразователях напряжения и радиационно-стойких датчиках ионизирующего излучения.

Для создания диода Шоттки в плазмохимическом реакторе собственной разработки на монокристаллической подложке выращивалась структура, состоящая из двух слоев алмаза, сильно (p++) и слабо (p-) легированных бором (рис. 1б). Впервые удалось получить сильно легированный бором слой алмаза (p++) высокого кристаллического совершенства с высокой концентрацией бора 1021 см-3 и низким удельным электрическим сопротивлением 10-3 Ом·см. Сформированные на такой структуре диоды могли работать в широком диапазоне температур (рис. 1в), при плотностях тока до 1000 А/см2. Превосходное кристаллическое качество выращенного CVD алмаза позволило достигнуть высоких пробойных полей диодов 2,5 МВ/см.

В ходе исследования было установлено, что созданный алмазный диод Шоттки имеет сверхнизкие токи утечки при включении в обратном направлении. Это открывает перспективы его использования в качестве малошумящих датчиков различных высокоэнергетических частиц, ультрафиолетового и рентгеновского излучений.